快速退火爐RTP600專為半導體高溫處理設計，支持500℃~1000℃范圍內的氧化/擴散/快速退火工藝，采用雙層21×1kW高功率燈管，實現150℃/s極速升溫控制，通過水冷鋁質外殼、石英內腔確保溫度均勻性，兼容2~6英寸晶圓片，結合精密氣體控制提供高效解決方案。

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